纳兹克股份有限公司参加LDMAS 2021

2021年10月8日到10日，韩国纳兹克股份有限公司参加由中国科学院半导体研究所主办，中国科学院材料科学与光电技术学院、北京化工大学联合承办，以西安电子科技大学、国家纳米科学中心、南京邮电大学、南京大学、东南大学等协办的下一代电子信息材料与器件高峰论坛暨第三届低维材料应用与标准研讨会（LDMAS2021）

本届会议将重点讨论纳米能源与催化材料等低维材料以及低维半导体电子/光电子器件等领域的研究、应用以及标准化，为低维材料与器件相关领域的专家、学者、企业家交流最新研究成果以及未来发展方向提供一个广泛的平台。会议邀请了国内外专家学者做专题报告，并邀请企事业单位、检测机构、仪器设备厂商展示成果。

纳兹克股份有限公司展出的产品是有NS3500系列高速3D激光共聚焦显微镜。NS3500 是纳兹克股份有限公司针对低维材料表征，芯片制造，OLED屏幕检测所研发的一款高速3D激光共聚焦显微镜。

纳兹克股份有限公司海外部部长Dicke 表示，最近几年由于全球疫情以及中美贸易战的影响，芯片供应链受到巨大的影响，尤其是芯片产业。

芯片是民用工业的明珠，而且芯片的生产过程非常苛刻，并且只能在超净环境中生产。沙子富含丰富的硅元素，是生产半导体地基本原材料，通过加热、提纯和其他地工艺可以获得单晶硅锭。再通过切割、打磨、抛光等工艺就可以获得0.5到1.5毫米厚地晶圆。芯片的前端工艺主要是完成集成晶体管的制造，首先将一层二氧化硅沉积到晶圆的表面，再滴上光刻胶，利用旋涂技术使光刻胶均匀地涂抹在晶圆地表面，形成一层很薄的光刻胶薄膜。下一步再利用光刻机进行光刻，然后使用专门的显影液显影。下一步，除去光刻胶，对暴露出来的二氧化硅进行刻蚀，接着再沉积一层二氧化硅使晶体管间绝缘，再利用刻蚀和研磨工艺使硅暴露出来（盖在氮化硅和二氧化硅中的部分），再使用光刻胶保护住表面不想被掺杂的部分。对暴露出来的硅使用离子注入技术进行P型或N型掺杂。然后重复匀胶、曝光、离子注入等步骤制作晶体管的源极与漏极，这个就是晶体管的基础结构。这就是芯片的前端制作

再在二氧化硅上开出连接用的通孔，通孔由金属钨填充，然后制作晶体管之间的连线，最终得到满是芯片的晶圆，再用圆锯将芯片切开，最后进行封装就可以获得我们使用的芯片

NS3500激光共聚焦显微镜采用的是405纳米激光作为光源，利用类似于连续断层扫描的方式获得一张张连续的二维光学切片，再通过计算机系统重新构建出一张三维图像，在检测的过程中不会损伤样品的表面，可以对芯片制造过程中产品的质量进行检测，比如芯片前端工艺中的晶圆凸点高度一致性，Wafer 表面粗糙度、机械加工过程中产生的缺陷、微纳颗粒污染物以及芯片表面镀膜厚度进行无损检测.

综合而言，NS3500 激光共聚焦显微镜是一款高精度、多模块、可靠性高的设备。